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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對于能源電力的需求越來越大。從而對電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動IC舉例

氮化鎵驅(qū)動廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時 ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動方案，供設(shè)計參考：

氮化鎵與超結(jié)硅不同封裝的結(jié)-殼熱阻（ RthJC ）比較

不同的封裝會有不同的結(jié)-殼熱阻。但封裝形式的影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于芯片自身的尺寸對結(jié)-殼熱阻的影響。我們使用英飛...

為何GaN HEMT沒有雪崩擊穿？

GaN有很高的擊穿場強(qiáng)（硅的10倍）就硅器件而言，高電場導(dǎo)致硅PN結(jié)出現(xiàn)雪崩擊穿 GaN HEMT 更像瓷片電容擊穿，因?yàn)?..

寄生電容: GaN和硅超結(jié)MOS對比

氮化鎵 HEMT: Coss隨VDS電壓的變化率: Coss(Vds=0.5V)/Coss(Vds=500V)=200pF/41pF=4.89 硅超結(jié)MOS: Coss ...

氮化鎵和超級結(jié)MOS管比較：dv/dt

氮化鎵比超結(jié)MOS管的dv/dt高很多。在驅(qū)動設(shè)計的時候需要特別注意。這里有早些時候TO220封裝的級聯(lián)型氮化鎵...

氮化鎵功率器件晶圓級測試舉例

測試未通過的芯片被標(biāo)記，不被封裝在這個例子里，我們有: ü所有芯片(die): 229 ü壞的芯片: 32 &...

氮化鎵功率器件晶圓級測試簡介

晶圓級測試（CP）可以通過一些列的測試項(xiàng)目分別出好的和壞的芯片。這些測試項(xiàng)目包括室溫和高溫兩種測試條件。針...

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