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氮化鎵和超級(jí)結(jié)MOS管比較：dv/dt
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:569次

氮化鎵比超結(jié)MOS管的dv/dt高很多。在驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的時(shí)候需要特別注意。這里有早些時(shí)候TO220封裝的級(jí)聯(lián)型氮化鎵和超結(jié)MOS管的一個(gè)對(duì)比：

Wei Zhang, A Deep Dive of Isolated Gate Driver Robustness – dv/dt (CMTI) and di/dt, TI, APEC 2018