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氮化鎵功率器件晶圓級(jí)測試簡介
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:582次

晶圓級(jí)測試（CP）可以通過一些列的測試項(xiàng)目分別出好的和壞的芯片。這些測試項(xiàng)目包括室溫和高溫兩種測試條件。針對(duì)氮化鎵功率器件，很多公司還提供CP動(dòng)態(tài)特性測試，以完善篩選。一些測試項(xiàng)目舉例：

Idss: 漏極漏電流
Igss: 門極漏電流
Vth: 閾值電壓
Rdson: 通態(tài)電阻
gm: 跨導(dǎo)

通過 / 失效 取決于設(shè)定的參數(shù)范圍，CP測試廠會(huì)標(biāo)記出壞的芯片（或者提供Wafer Map)

https://www.mjc.co.jp/en/technology/

http://www.jemam.com/probecard.htm

https://www.formfactor.com/

http://www.jem-net.co.jp/en/products/pro_hando_top.html