碳化硅功率器件的制備,經(jīng)歷了從材料生長(襯底材料)—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計/流片/晶圓加工—>封裝(分立,模塊)—>測試的多道工序和步驟。碳化硅不同于硅在于,它的材料成本占了最終成本比例很大(可能超過60%)。從物理層面來看, 目前在功率行業(yè)用的比較多的碳化硅材料是4H-SiC。碳化硅器件的空穴遷移率比電子低很多,這也是碳化硅PMOS或者IGBT器件很難實現(xiàn)的原因之一
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