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為何GaN HEMT沒有雪崩擊穿？
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:547次
  1. GaN有很高的擊穿場強（硅的10倍）
  2. 就硅器件而言，高電場導(dǎo)致硅PN結(jié)出現(xiàn)雪崩擊穿
  3. GaN HEMT 更像瓷片電容擊穿，因為它的擊穿點常常位于器件上部的絕緣層中（電場最集中的地方）
  4. 與硅不同之處在于，氮化鎵一旦發(fā)生擊穿，就是永久性的
  5. 對氮化鎵而言，通常的設(shè)計余量會有30%以上，而硅器件僅有10%