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氮化鎵與超結(jié)硅不同封裝的結(jié)-殼熱阻（ RthJC ）比較
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:560次

不同的封裝會(huì)有不同的結(jié)-殼熱阻。但封裝形式的影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于芯片自身的尺寸對(duì)結(jié)-殼熱阻的影響。我們使用英飛凌的數(shù)據(jù)做了一個(gè)全面的比較，可見對(duì)于硅器件而言，無(wú)論是直插封裝（例如TO220）還是表面貼封裝(DFN)，差不多的Rdson帶來(lái)很接近的結(jié)-殼熱阻。然而同樣類似的Rdson，氮化鎵的結(jié)-殼熱阻卻要大很多。這本質(zhì)上是因?yàn)楹统Y(jié)MOS比，相同Rdson，氮化鎵的芯片面積要小很多。小面積帶來(lái)結(jié)-殼電阻的增加。