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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對于能源電力的需求越來越大。從而對電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動IC舉例

氮化鎵驅(qū)動廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時 ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動方案，供設(shè)計參考：

簡化的氮化鎵生產(chǎn)工藝流程（耗盡型）

為了讓大家更好的理解氮化鎵功率器件的工藝流程，這里準(zhǔn)備了一個簡化的耗盡型氮化鎵功率器件的工藝步驟。第一...

簡化的氮化鎵功率器件封裝步驟

有了氮化鎵芯片的晶圓工藝，我們現(xiàn)在來簡單講一下氮化鎵封裝。氮化鎵功率器件的封裝和硅功率器件很類似。在封...

氮化鎵功率器件的一些基本特性

沒有雪崩擊穿，更加類似于介質(zhì)擊穿沒有p-型氮化鎵管，氮化鎵單片模擬/數(shù)字IC的設(shè)計與硅不同最大門級電壓被...

氮化鎵通態(tài)電阻Rdson隨溫度的變化

讓我們再來看一下氮化鎵的通態(tài)電阻隨溫度的變化。左圖是芯干線的氮化鎵功率器件隨溫度的變化，從25度室溫到15...

寄生電容: GaN和硅超結(jié)MOS對比

如果我們比較寄生電容，氮化鎵的Coss隨漏源極電壓變化很小，Vds從0V上升到500V，Coss僅變化了5倍。而硅超級MOS管，C...

功率器件芯片面積的演進(jìn)

這里我們來看一下硅MOS管的迭代。從普通的VDMOS到超結(jié)MOS管，超結(jié)MOS管自身也在不斷迭代，新一代超結(jié)MOS管的芯...

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