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寄生電容: GaN和硅超結(jié)MOS對(duì)比
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:481次

如果我們比較寄生電容，氮化鎵的Coss隨漏源極電壓變化很小，Vds從0V上升到500V，Coss僅變化了5倍。而硅超級(jí)MOS管，Coss隨漏極電壓的變化卻高達(dá)875倍。硅超結(jié)MOS的Coss變化率或者說非線性遠(yuǎn)大于氮化鎵。這也是一直以來用硅超結(jié)MOS管的系統(tǒng)EMI整改比較困難的原因之一