一夲无码中文字幕在线_亚洲丁香激情五月_国产精品无码专区综合网_美女洗澡视频网站国产_免费黄色片三级小毛片免费_偷在线观看乱人伦_日韩黄色电影免费在线_最新无码福利写真视频_日本不卡一区亚洲五月_女人被爽到呻吟视频动态图

功率器件芯片面積的演進(jìn)
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:542次

這里我們來看一下硅MOS管的迭代。從普通的VDMOS到超結(jié)MOS管，超結(jié)MOS管自身也在不斷迭代，新一代超結(jié)MOS管的芯片面積更小，成本更低，品質(zhì)因素更好。然而氮化鎵的出現(xiàn)，卻是一個(gè)質(zhì)的飛躍。更別說氮化鎵才剛剛面市，基本上還屬于一代或二代的產(chǎn)品。芯片面積小雖然意味著更低的成本和更高的性價(jià)比，但因?yàn)榍懊嫠f的結(jié)殼熱阻問題，芯片面積小，所能承受的持續(xù)電流也會比較小