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芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢及應用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲能技術領域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導體功率器件的應用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡介瑞薩RA-T系列MCU是為電機和數(shù)字電源應用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風口下的第三代半導體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽w行業(yè)奠定了堅實的基礎。隨著技術...

為何GaN HEMT沒有雪崩擊穿？

GaN有很高的擊穿場強（硅的10倍）就硅器件而言，高電場導致硅PN結(jié)出現(xiàn)雪崩擊穿 GaN HEMT 更像瓷片電容擊穿，因為...

寄生電容: GaN和硅超結(jié)MOS對比

氮化鎵 HEMT: Coss隨VDS電壓的變化率: Coss(Vds=0.5V)/Coss(Vds=500V)=200pF/41pF=4.89 硅超結(jié)MOS: Coss ...

氮化鎵和超級結(jié)MOS管比較：dv/dt

氮化鎵比超結(jié)MOS管的dv/dt高很多。在驅(qū)動設計的時候需要特別注意。這里有早些時候TO220封裝的級聯(lián)型氮化鎵...

氮化鎵功率器件晶圓級測試舉例

測試未通過的芯片被標記，不被封裝在這個例子里，我們有: ü所有芯片(die): 229 ü壞的芯片: 32 &...

氮化鎵功率器件晶圓級測試簡介

晶圓級測試（CP）可以通過一些列的測試項目分別出好的和壞的芯片。這些測試項目包括室溫和高溫兩種測試條件。針...

氮化鎵功率器件主要應用方向

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