寄生電容: GaN和硅超結(jié)MOS對比
時(shí)間：2023-04-13
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分類：技術(shù)文章
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- 氮化鎵 HEMT: Coss隨VDS電壓的變化率: Coss(Vds=0.5V)/Coss(Vds=500V)=200pF/41pF=4.89
- 硅超結(jié)MOS: Coss 隨VDS電壓的變化率: Coss(Vds=0.5V)/Coss(Vds=500V)=3.5E4pF/40pF=875
- 硅超結(jié)MOS Coss隨VDS電壓的變化率比氮化鎵大很多，造成嚴(yán)重的非線性，導(dǎo)致EMI整改困難
