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氮化鎵功率器件晶圓級(jí)測(cè)試舉例
時(shí)間：2023-04-13 作者： 分類(lèi)：技術(shù)文章 瀏覽：985次
  • 測(cè)試未通過(guò)的芯片被標(biāo)記，不被封裝
  • 在這個(gè)例子里，我們有:
  • ü所有芯片(die): 229
  • ü壞的芯片: 32
  • ü良率: 86%
  • 晶圓級(jí)測(cè)試的參數(shù)值范圍定義不能太窄，也不能定義太過(guò)寬松。太窄造成良率過(guò)低，太寬可能會(huì)放過(guò)一些有潛在問(wèn)題的器件