芯片設計：芯片設計作為芯片制造的第一步起著舉足輕重的作用，決定了器件的結(jié)構(gòu)和性能。
功率器件專注于解決大電壓、大電流應用環(huán)境下的電能轉(zhuǎn)換及電路控制問題。針對不同應用環(huán)境功率器件有著多種解決方案：以SiC MOSFET和GaN HEMT為例，SiC MOSFET 在中高壓（如1200V、1700V等）及中大功率（2000W-1MW）領(lǐng)域的表現(xiàn)尤為亮眼，而GaN HEMT更適合應用在中小功率領(lǐng)域，可以通過提高頻率進而提升功率密度。同時對于功率器件而言高功率、低損耗和低成本一直是核心研發(fā)目標。工程師需要根據(jù)應用需求，提出合理的設計方案，從器件原理出發(fā)，對器件結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化，從而有效提高器件性能，降低能量損耗，減少器件成本。
芯干線科技針對功率器件的應用場景和性能需求，提供匹配的設計方案和解決方法。
晶圓制造：晶圓制造作為芯片制造中的核心步驟，決定了芯片是否能從概念轉(zhuǎn)化成實物。
功率器件制造過程大致包括材料生長-外延制備-晶圓加工-CP測試。由于功率器件需要特殊的工藝制程，往往面臨較多的挑戰(zhàn)，比如GaN和SiC的外延制備和溝槽結(jié)構(gòu)刻蝕等亟待提升的工藝制程。晶圓加工過程中的工藝水平對器件性能有著直接影響，為此功率器件在制造過程中需要匹配現(xiàn)有的工藝進行加工制造，嚴格把控工藝流程，通過設計與工藝的完美配合，完成芯片的制造。
芯干線科技聯(lián)合優(yōu)質(zhì)半導體行業(yè)代工廠制訂流片方案，縮短研發(fā)周期。
封裝測試：封裝測試作為芯片制造的收尾工作，決定了芯片出貨時的質(zhì)量水平。
封裝是為了讓芯片避免受到外界環(huán)境影響，提供芯片一個良好且穩(wěn)定的工作環(huán)境。因此杰出的封裝可以做到在最大程度上保持器件原有的性能。同時封裝在減少封裝后器件寄生參數(shù)（電感、電容等）和解決器件散熱問題等都起著不可忽視的作用。最終測試通過對芯片參數(shù)的收集，驗收芯片是否符合設計者和客戶的期待。
芯干線科技與國內(nèi)先進封測廠合作，保障產(chǎn)品出貨率和可靠性。
