氮化鎵比超結MOS管的dv/dt高很多。在驅動設計的時候需要特別注意。這里有早些時候TO220封裝的級聯(lián)型氮化鎵和超結MOS管的一個對比：
Wei Zhang, A Deep Dive of Isolated Gate Driver Robustness – dv/dt (CMTI) and di/dt, TI, APEC 2018
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