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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價(jià)比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對于能源電力的需求越來越大。從而對電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng)IC舉例

氮化鎵驅(qū)動(dòng) 廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動(dòng)電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時(shí) ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)方案，供設(shè)計(jì)參考：

功率器件硬關(guān)斷曲線分析

功率器件在硬開關(guān)關(guān)斷過程分為三個(gè)階段: 第一階段：D-C，門極驅(qū)動(dòng)給Cgs和Cgd放電，門極電壓從穩(wěn)態(tài)的門極電壓下降...

氮化鎵驅(qū)動(dòng)方式

氮化鎵功率器件的驅(qū)動(dòng)方式不同于硅或者碳化硅；氮化鎵門極電壓范圍較窄，一般-10V到+7V; 為了最好的發(fā)揮出氮...

較真實(shí)的氮化鎵門極驅(qū)動(dòng)分析

根據(jù)實(shí)際測試的數(shù)據(jù)，這里有較為真實(shí)的氮化鎵門極驅(qū)動(dòng)開關(guān)分析。注意關(guān)斷器件，門極電壓看似有米勒平臺(tái)，但那不...

氮化鎵功率器件的反向?qū)?/div>

Ø和硅MOS不同，氮化鎵器件沒有PN結(jié) Ø當(dāng)源極和門極接在一起, 在 VDS 上加一個(gè)負(fù)壓相當(dāng)于加一個(gè)...

氮化鎵功率器件非理想硬開關(guān)門極驅(qū)動(dòng)

功率器件的寄生參數(shù)會(huì)導(dǎo)致非理想的硬開關(guān)曲線。這些寄生參數(shù)包括器件本身的各種寄生電感和外面PCB板布線造...

氮化鎵功率器件和超結(jié)MOS管的芯片面積比較

過去30年，超結(jié)MOS芯片面積不斷減小，然而氮化鎵卻是一個(gè)質(zhì)的飛躍芯片面積小意味著更低的成本，但同時(shí)也會(huì)帶來...

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