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氮化鎵功率器件的反向?qū)?/div>
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:576次
Ø和硅MOS不同,氮化鎵器件沒(méi)有PN結(jié)
Ø當(dāng)源極和門極接在一起 VDS 上加一個(gè)負(fù)壓相當(dāng)于加一個(gè)正的VGD
Ø當(dāng)VGD超過(guò)閾值電壓,溝道會(huì)導(dǎo)通,類似于MOS管體二極管開(kāi)通。
Ø門極上加負(fù)壓關(guān)斷,在方向開(kāi)通時(shí)漏極需要加上同樣的負(fù)壓,這樣會(huì)增加器件的損耗
Ø如果需要氮化鎵反向續(xù)流同時(shí)門極負(fù)壓關(guān)斷:
1.死區(qū)時(shí)間盡量短
2.并聯(lián)快恢復(fù)二極管