一夲无码中文字幕在线_亚洲丁香激情五月_国产精品无码专区综合网_美女洗澡视频网站国产_免费黄色片三级小毛片免费_偷在线观看乱人伦_日韩黄色电影免费在线_最新无码福利写真视频_日本不卡一区亚洲五月_女人被爽到呻吟视频动态图

氮化鎵功率器件和超結(jié)MOS管的芯片面積比較
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:559次

過去30年，超結(jié)MOS芯片面積不斷減小，然而氮化鎵卻是一個(gè)質(zhì)的飛躍

芯片面積小意味著更低的成本，但同時(shí)也會(huì)帶來大一些的熱阻（標(biāo)稱電流?。?/strong>

盡管氮化鎵是一個(gè)橫向器件，其芯片面積與超結(jié)MOS相比，仍然具有巨大的面積優(yōu)勢：

參考文獻(xiàn)：陳橋梁，功率MOSFET：從原理、特性到應(yīng)用分析