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點(diǎn)擊展開(kāi)

芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無(wú)橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡(jiǎn)介瑞薩RA-T系列MCU是為電機(jī)和數(shù)字電源應(yīng)用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風(fēng)口下的第三代半導(dǎo)體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)...

硬開(kāi)關(guān)中的DFN及TO220的氮化鎵器件

DFN封裝在開(kāi)通過(guò)程中，電壓和電流的斜率明顯高于TO220封裝。因?yàn)镈FN封裝有開(kāi)爾文腳，有更小的共源極電感和回路...

碳化硅光伏應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)

SiC對(duì)比Si材料優(yōu)勢(shì) I

3倍禁帶寬度：低漏電、高工作溫度 10倍擊穿場(chǎng)強(qiáng)：高擊穿電壓、低損耗、高開(kāi)關(guān)速度 3倍熱導(dǎo)率：高功率密度、低散...

碳化硅用于儲(chǔ)能系統(tǒng)

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

氮化鎵與超結(jié)硅不同封裝的結(jié)-殼熱阻（ RthJC ）比較

不同的封裝會(huì)有不同的結(jié)-殼熱阻。但封裝形式的影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于芯片自身的尺寸對(duì)結(jié)-殼熱阻的影響。我們使用英飛...

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