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SiC對比Si材料優(yōu)勢 I
時間：2023-04-12 作者： 分類：技術(shù)文章 瀏覽：1045次
  • 3倍禁帶寬度：低漏電、高工作溫度
  • 10倍擊穿場強：高擊穿電壓、低損耗、高開關(guān)速度
  • 3倍熱導率：高功率密度、低散熱要求