不同的封裝會有不同的結(jié)-殼熱阻。但封裝形式的影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于芯片自身的尺寸對結(jié)-殼熱阻的影響。我們使用英飛凌的數(shù)據(jù)做了一個全面的比較，可見對于硅器件而言，無論是直插封裝（例如TO220）還是表面貼封裝(DFN)，差不多的Rdson帶來很接近的結(jié)-殼熱阻。然而同樣類似的Rdson，氮化鎵的結(jié)-殼熱阻卻要大很多。這本質(zhì)上是因為和超結(jié)MOS比，相同Rdson，氮化鎵的芯片面積要小很多。小面積帶來結(jié)-殼電阻的增加。
