硬開關(guān)中的DFN及TO220的氮化鎵器件
時(shí)間：2023-04-12
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分類：技術(shù)文章
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- DFN封裝在開通過程中，電壓和電流的斜率明顯高于TO220封裝。因?yàn)镈FN封裝有開爾文腳，有更小的共源極電感和回路電感
- 因此，DFN封裝的開通損耗比TO220小很多
- 就關(guān)斷損耗而言，TO220會(huì)發(fā)生更嚴(yán)重振蕩
- 在大電流關(guān)斷的時(shí)候，TO220甚至出現(xiàn)了誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。這使得TO220的關(guān)斷損耗大大增加
