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點(diǎn)擊展開

芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡(jiǎn)介瑞薩RA-T系列MCU是為電機(jī)和數(shù)字電源應(yīng)用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風(fēng)口下的第三代半導(dǎo)體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)...

簡(jiǎn)化的氮化鎵功率器件封裝步驟

有了氮化鎵芯片的晶圓工藝，我們現(xiàn)在來簡(jiǎn)單講一下氮化鎵封裝。氮化鎵功率器件的封裝和硅功率器件很類似。在封...

氮化鎵功率器件的一些基本特性

沒有雪崩擊穿，更加類似于介質(zhì)擊穿沒有p-型氮化鎵管，氮化鎵單片模擬/數(shù)字IC的設(shè)計(jì)與硅不同最大門級(jí)電壓被...

氮化鎵通態(tài)電阻Rdson隨溫度的變化

讓我們?cè)賮砜匆幌碌壍耐☉B(tài)電阻隨溫度的變化。左圖是芯干線的氮化鎵功率器件隨溫度的變化，從25度室溫到15...

寄生電容: GaN和硅超結(jié)MOS對(duì)比

如果我們比較寄生電容，氮化鎵的Coss隨漏源極電壓變化很小，Vds從0V上升到500V，Coss僅變化了5倍。而硅超級(jí)MOS管，C...

功率器件芯片面積的演進(jìn)

這里我們來看一下硅MOS管的迭代。從普通的VDMOS到超結(jié)MOS管，超結(jié)MOS管自身也在不斷迭代，新一代超結(jié)MOS管的芯...

氮化鎵單片集成IC介紹

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