氮化鎵功率器件的一些基本特性
時間：2023-04-13
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分類：技術(shù)文章
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- 沒有雪崩擊穿，更加類似于介質(zhì)擊穿
- 沒有p-型氮化鎵管，氮化鎵單片模擬/數(shù)字IC的設計與硅不同
- 最大門級電壓被限制在了7V，且與現(xiàn)有硅驅(qū)動IC不兼容，驅(qū)動需要特別的IC或設計
- 氮化鎵功率器件特有的動態(tài)電阻現(xiàn)象，會在工作的時候增加通態(tài)電阻，需要有設計裕量
- 雖然GaN材料特性遠好過硅，且有高電子遷移率的二維電子氣，受制于橫向器件，其優(yōu)點未能完全發(fā)揮
- 特征參數(shù)（Ron x Qg）氮化鎵器件遠好過硅及碳化硅器件
