如果我們比較寄生電容，氮化鎵的Coss隨漏源極電壓變化很小，Vds從0V上升到500V，Coss僅變化了5倍。而硅超級MOS管，Coss隨漏極電壓的變化卻高達875倍。硅超結MOS的Coss變化率或者說非線性遠大于氮化鎵。這也是一直以來用硅超結MOS管的系統(tǒng)EMI整改比較困難的原因之一
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