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這里我們來(lái)看一下硅MOS管的迭代。從普通的VDMOS到超結(jié)MOS管，超結(jié)MOS管自身也在不斷迭代，新一代超結(jié)MOS管的芯片面積更小，成本更低，品質(zhì)因素更好。然而氮化鎵的出現(xiàn)，卻是一個(gè)質(zhì)的飛躍。更別說(shuō)氮化鎵才剛剛面市，基本上還屬于一代或二代的產(chǎn)品。芯片面積小雖然意味著更低的成本和更高的性?xún)r(jià)比，但因?yàn)榍懊嫠f(shuō)的結(jié)殼熱阻問(wèn)題，芯片面積小，所能承受的持續(xù)電流也會(huì)比較小
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