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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經歷了從材料生長（襯底材料）—>材料外延—>半導體器件設計/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運用GaN才能做到最優(yōu)性價比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對于能源電力的需求越來越大。從而對電源轉換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應用

商業(yè)化的增強型氮化鎵驅動IC舉例

氮化鎵驅動廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅動電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時 ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅動

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅動方案，供設計參考：

商業(yè)化的 P-GaN HEMTs技術路線比較

Kevin J. Chen, Understanding the Dynamic Behavior in GaN-on-Si Power Devices and IC’s, Integra...

氮化鎵功率器件軟開關曲線

軟開關的Ids-Vds包絡線（B1軟開通，B2軟關斷）所包裹的Ids-Vds坐標平面面積比硬開關的包絡線(A1硬關斷，A2硬開通）所...

65W超小型適配器發(fā)展史（2016年～2020年）

氮化鎵功率器件和超結MOS管的價格趨勢比較

如果我們把氮化鎵功率器件和超結MOS管做一個比較，會發(fā)現(xiàn)這兩者的價格在導通電阻較大的時候（>100毫歐）非常接近...

氮化鎵半橋門極驅動（使用負壓關斷時需注意的）

氮化鎵半橋電路下管負壓關斷時候，下管反向導通時Vsd會比較大門極驅動IC所使用的boostrap電路對boostrap電...

半橋架構氮化鎵功率器件對驅動器的CMTI的要求

半橋結構的氮化鎵功率器件廣泛用于例如LLC等拓撲結構中。因為氮化鎵功率器件的有較高的dv/dt變化率，對板橋模...

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