軟開關(guān)的Ids-Vds包絡(luò)線(B1軟開通,B2軟關(guān)斷)所包裹的Ids-Vds坐標(biāo)平面面積比硬開關(guān)的包絡(luò)線(A1硬關(guān)斷,A2硬開通)所包裹的面積小很多。這意味著軟開關(guān)帶來小很多的能量損耗。
氮化鎵功率器件軟開關(guān)拓撲通常采用ZVS(零電壓開通),在開通過程看不到米勒平臺。
對足夠強的驅(qū)動而言,ZVS關(guān)斷也是看不到米勒平臺的:
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