半橋結(jié)構(gòu)的氮化鎵功率器件廣泛用于例如LLC等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中。因?yàn)榈壒β势骷挠休^高的dv/dt變化率,對(duì)板橋模塊的驅(qū)動(dòng)IC往往會(huì)有更高的要求。CMTI(common mode transient immunity)是用于衡量驅(qū)動(dòng)器對(duì)于瞬態(tài)噪音的抑制能力的參數(shù),它和驅(qū)動(dòng)器自身的寄生電容有關(guān)。希望該寄生電容越小越好。一般而言使用數(shù)字隔離技術(shù)的驅(qū)動(dòng)IC好過(guò)使用level-shift技術(shù)的驅(qū)動(dòng)器。
如圖所示,當(dāng)中心點(diǎn)SW有一個(gè)較高的正向或者負(fù)向dv/dt時(shí)候,共模電流會(huì)流過(guò)上管驅(qū)動(dòng)器的寄生電容兩端。這可能會(huì)造成控制器的邏輯狀態(tài)錯(cuò)誤,導(dǎo)致誤觸發(fā)。
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