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Technical Article
碳化硅,從材料到模塊
碳化硅功率器件的制備,經(jīng)歷了從材料生長(襯底材料)—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)/流片/晶圓加工—>封裝(分立,模...
如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價(jià)比
隨著科技的發(fā)展,人們生活水平的提高,人類生活對于能源電力的需求越來越大。從而對電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...
碳化硅在光伏中的應(yīng)用
商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng)IC舉例
氮化鎵驅(qū)動(dòng) 廠商 單管 / 半橋 上拉/下拉電流 VDD供電電壓 門極驅(qū)動(dòng)電壓 上拉 / 下拉電阻 傳輸延時(shí) ...
芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)
以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)方案,供設(shè)計(jì)參考:
氮化鎵與超結(jié)MOS管的品質(zhì)因素(FOM)比較
氮化鎵功率器件品質(zhì)因數(shù):Rdson * Qg,遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝過最好的超結(jié)MOS管。 參考文獻(xiàn):陳橋梁,功率MOSFET:從原理、特性到應(yīng)...
氮化鎵器件和硅超結(jié)MOS管損耗分析(硬開關(guān))
相同的擊穿電壓,通態(tài)電阻及工作頻率下,根據(jù)以下?lián)p耗公式: 損耗分類 符號(hào) 超結(jié)MOS 氮化鎵 備注 導(dǎo)通損耗 ...
氮化鎵可靠性測試項(xiàng)目舉例
典型的JEDEC可靠性測試要求(簡化版): Test Items Description Requirements Number of Chips from 3 lots ...
氮化鎵超小型65W適配器方案比較
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) GaN主開關(guān)數(shù)量 頻率范圍 (KHz) 效率 電路調(diào)試難度 帶殼體積 成本 QR (準(zhǔn)諧振反激) 1 100~3...
氮化鎵功率器件測試項(xiàng)目舉例
氮化鎵功率器件測試項(xiàng)目舉例: 測試項(xiàng)目名稱 Symbols 靜態(tài)參數(shù)測試 Static (DC) parameters testing Rds...
級(jí)聯(lián)型氮化鎵的優(yōu)缺點(diǎn)
Good: 優(yōu)點(diǎn) ØGaN HEMT天生就是常開型,容易設(shè)計(jì)和生產(chǎn) Ø和硅一樣的高閾值電壓 Bad: 缺點(diǎn) &...
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Headquarters consultation hotline
025-51180705
Email:xinkansen@x-ipm.com
Add:Room 1403, 34th Headquarter Base Park, 70th Phoenix Road, Jiangning Development Zone, Nanjing
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