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級(jí)聯(lián)型氮化鎵的優(yōu)缺點(diǎn)
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:554次

Good: 優(yōu)點(diǎn)

ØGaN HEMT天生就是常開型，容易設(shè)計(jì)和生產(chǎn)
Ø和硅一樣的高閾值電壓

Bad: 缺點(diǎn)

Ø性能相對(duì)差一些
Ø直接控制硅MOS的門極，而非氮化鎵的門極
Ø需要外加TVS器件來(lái)保護(hù)低壓MOS
Ø氮化鎵和MOS管的Coss 匹配不易
Ø仍然有Qrr