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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長（襯底材料）—>材料外延—>半導體器件設計/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運用GaN才能做到最優(yōu)性價比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對于能源電力的需求越來越大。從而對電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應用

商業(yè)化的增強型氮化鎵驅(qū)動IC舉例

氮化鎵驅(qū)動廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時 ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動方案，供設計參考：

氮化鎵功率器件封裝級終測簡介

終測可以剔除在CP過程中未被發(fā)現(xiàn)的失效器件，以及在封裝過程中壞掉的器件。終測是在給客戶出貨前最后一次測試...

典型級聯(lián)氮化鎵內(nèi)部視圖

Ø級聯(lián)封裝較復雜，包含3個器件和陶瓷襯底 Ø可能會比E-mode成本更高 Ø級聯(lián)不適合低壓...

級聯(lián)型氮化鎵的匹配問題

級聯(lián) D-GaN: 如何匹配 D-GaN 和 N-MOS V_m≈V_pdd?C_(ds,GaN)/(C_(ds,GaN)+C_(ds,MOS) ) Vm 太小: ...

簡化的氮化鎵功率器件封裝步驟

氮化鎵功率器件不同于硅器件在于它的表面材料質(zhì)地較硬，在做劃片的時候，不能只是用傳統(tǒng)的鉆石刀，需要先做激光凹...

數(shù)字隔離技術介紹

磁隔離器基于芯片級變壓器電容隔離是在芯片頂部加上一個高介電常數(shù)的電容隔離阻擋層來實現(xiàn)

功率器件硬開通曲線分析

功率器件在硬開關開通過程分為三個階段: 第一階段：A-B，門極驅(qū)動給Cgs充電，門極電壓從0到閾值電壓Vth，再到米勒...

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