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典型級(jí)聯(lián)氮化鎵內(nèi)部視圖
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:572次
Ø級(jí)聯(lián)封裝較復(fù)雜，包含3個(gè)器件和陶瓷襯底
Ø可能會(huì)比E-mode成本更高 
Ø級(jí)聯(lián)不適合低壓氮化鎵器件（<200V)，因?yàn)閬?lái)自低壓MOS管的Rdson在通態(tài)電阻中的占比會(huì)更高
Ø就600V器件而言，MOS的Rdson占比小于5%
Ø就100V器件而言，MOS的Rdson占比可能超過(guò)30%