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芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡介瑞薩RA-T系列MCU是為電機和數(shù)字電源應(yīng)用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風(fēng)口下的第三代半導(dǎo)體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)...

氮化鎵器件和硅超結(jié)MOS管損耗分析（硬開關(guān)）

相同的擊穿電壓，通態(tài)電阻及工作頻率下，根據(jù)以下?lián)p耗公式：損耗分類符號超結(jié)MOS 氮化鎵備注導(dǎo)通損耗 ...

氮化鎵可靠性測試項目舉例

典型的JEDEC可靠性測試要求（簡化版）： Test Items Description Requirements Number of Chips from 3 lots ...

氮化鎵超小型65W適配器方案比較

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) GaN主開關(guān)數(shù)量頻率范圍 (KHz) 效率電路調(diào)試難度帶殼體積成本 QR （準(zhǔn)諧振反激） 1 100~3...

氮化鎵功率器件測試項目舉例

氮化鎵功率器件測試項目舉例：測試項目名稱 Symbols 靜態(tài)參數(shù)測試 Static (DC) parameters testing Rds...

級聯(lián)型氮化鎵的優(yōu)缺點

Good: 優(yōu)點 ØGaN HEMT天生就是常開型，容易設(shè)計和生產(chǎn) Ø和硅一樣的高閾值電壓 Bad: 缺點 &...

商業(yè)化的 P-GaN HEMTs技術(shù)路線比較

Kevin J. Chen, Understanding the Dynamic Behavior in GaN-on-Si Power Devices and IC’s, Integra...

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