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級聯(lián)型氮化鎵的優(yōu)缺點(diǎn)
時(shí)間：2023-04-13 作者： 分類：技術(shù)文章 瀏覽：997次

Good: 優(yōu)點(diǎn)

ØGaN HEMT天生就是常開型，容易設(shè)計(jì)和生產(chǎn)
Ø和硅一樣的高閾值電壓

Bad: 缺點(diǎn)

Ø性能相對差一些
Ø直接控制硅MOS的門極，而非氮化鎵的門極
Ø需要外加TVS器件來保護(hù)低壓MOS
Ø氮化鎵和MOS管的Coss 匹配不易
Ø仍然有Qrr