X
相同的擊穿電壓，通態(tài)電阻及工作頻率下，根據(jù)以下?lián)p耗公式：
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損耗分類(lèi) |
符號(hào) |
超結(jié)MOS |
氮化鎵 |
備注 |
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導(dǎo)通損耗 |
Pcond |
相同 |
相同 |
相同的通態(tài)電阻Rdson |
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開(kāi)關(guān)損耗 |
Psw |
更高 |
更低 |
氮化鎵有更小的QGS2和QGD |
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輸出電容Coss損耗 |
Pcoss |
更高 |
更低 |
氮化鎵的Coss更小 |
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門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)損耗 |
Pgate |
更高 |
更低 |
氮化鎵有更小的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓 |
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反向?qū)〒p耗 |
Psd |
更低 |
更高 |
氮化鎵的Vsd更高 |
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反向恢復(fù)損耗 |
Prr |
更高 |
沒(méi)有 |
氮化鎵沒(méi)有反向恢復(fù)電荷Qrr |
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硬開(kāi)關(guān)總損耗 |
Phard_sw |
更高 |
更低 |
氮化鎵硬開(kāi)關(guān)總損耗比超結(jié)MOS更低 |
