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芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡介瑞薩RA-T系列MCU是為電機和數(shù)字電源應(yīng)用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風(fēng)口下的第三代半導(dǎo)體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)...

氮化鎵驅(qū)動方式

氮化鎵功率器件的驅(qū)動方式不同于硅或者碳化硅；氮化鎵門極電壓范圍較窄，一般-10V到+7V; 為了最好的發(fā)揮出氮...

較真實的氮化鎵門極驅(qū)動分析

根據(jù)實際測試的數(shù)據(jù)，這里有較為真實的氮化鎵門極驅(qū)動開關(guān)分析。注意關(guān)斷器件，門極電壓看似有米勒平臺，但那不...

氮化鎵功率器件的反向?qū)?/div>

Ø和硅MOS不同，氮化鎵器件沒有PN結(jié) Ø當(dāng)源極和門極接在一起, 在 VDS 上加一個負(fù)壓相當(dāng)于加一個...

氮化鎵功率器件非理想硬開關(guān)門極驅(qū)動

功率器件的寄生參數(shù)會導(dǎo)致非理想的硬開關(guān)曲線。這些寄生參數(shù)包括器件本身的各種寄生電感和外面PCB板布線造...

氮化鎵功率器件和超結(jié)MOS管的芯片面積比較

過去30年，超結(jié)MOS芯片面積不斷減小，然而氮化鎵卻是一個質(zhì)的飛躍芯片面積小意味著更低的成本，但同時也會帶來...

氮化鎵與超結(jié)MOS管的品質(zhì)因素(FOM)比較

氮化鎵功率器件品質(zhì)因數(shù)：Rdson * Qg，遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝過最好的超結(jié)MOS管。參考文獻(xiàn)：陳橋梁，功率MOSFET：從原理、特性到應(yīng)...

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