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氮化鎵功率器件和超結(jié)MOS管的芯片面積比較
時(shí)間：2023-04-13 作者： 分類：技術(shù)文章 瀏覽：1016次

過去30年，超結(jié)MOS芯片面積不斷減小，然而氮化鎵卻是一個(gè)質(zhì)的飛躍

芯片面積小意味著更低的成本，但同時(shí)也會(huì)帶來大一些的熱阻（標(biāo)稱電流?。?/strong>

盡管氮化鎵是一個(gè)橫向器件，其芯片面積與超結(jié)MOS相比，仍然具有巨大的面積優(yōu)勢：

參考文獻(xiàn)：陳橋梁，功率MOSFET：從原理、特性到應(yīng)用分析