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根據(jù)實(shí)際測(cè)試的數(shù)據(jù)，這里有較為真實(shí)的氮化鎵門(mén)極驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)分析。
注意關(guān)斷器件，門(mén)極電壓看似有米勒平臺(tái)，但那不是真正的米勒平臺(tái)（這時(shí)候門(mén)極電壓已經(jīng)低于閾值電壓）。
Peter Di Maso, Lucas Lu, GaN E-HEMTs Enable Innovation in Power Switching Applications, GaN Systems, APEC 201
