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芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢及應用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲能技術領域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導體功率器件的應用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡介瑞薩RA-T系列MCU是為電機和數(shù)字電源應用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風口下的第三代半導體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽w行業(yè)奠定了堅實的基礎。隨著技術...

氮化鎵和超結MOS管Rdson隨溫度變化比較

氮化鎵和超結硅的Rdson高低溫比值相當： GaN HEMT而言: Rdson 高低溫比值: Rdson(T=150C)/ Rdson(T=25C) =16...

氮化鎵功率器件安全工作區(qū)計算和測試

氮化鎵和硅功率器件有類似的安全工作區(qū)定義熱不穩(wěn)定區(qū)域是熱失效發(fā)生的區(qū)域，通常曲線的曲率越陡，在高電壓時...

氮化鎵最大功率計算

確定了結-殼熱阻后，可以用以下公式來結算氮化鎵功率器件的最大功率。同時依據(jù)改公式可以畫出功率vs.殼溫曲...

氮化鎵功率器件和LDMOS結構比較

增強型（E-mode）和耗盡型（D-mode）氮化鎵功率器件結構和硅LDMOS的結構非常相似，都是橫向器件。他們都需要使用場板...

氮化鎵功率器件電流崩塌效應

氮化鎵功率器件特有的動態(tài)電阻現(xiàn)象源于電流崩塌效應。電流崩塌是當漏極和門極/源極之間承受了大電壓應力后，...

氮化鎵功率器件封裝級終測簡介

終測可以剔除在CP過程中未被發(fā)現(xiàn)的失效器件，以及在封裝過程中壞掉的器件。終測是在給客戶出貨前最后一次測試...

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