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氮化鎵功率器件和LDMOS結(jié)構比較
時間：2023-04-13 作者： 分類：技術文章 瀏覽：988次

增強型（E-mode）和耗盡型（D-mode）氮化鎵功率器件結(jié)構和硅LDMOS的結(jié)構非常相似，都是橫向器件。他們都需要使用場板來提升擊穿電壓。