氮化鎵功率器件封裝級終測簡介
時(shí)間：2023-04-13
作者：
分類：技術(shù)文章
瀏覽：938次
終測可以剔除在CP過程中未被發(fā)現(xiàn)的失效器件，以及在封裝過程中壞掉的器件。終測是在給客戶出貨前最后一次測試，以往硅器件只測試靜態(tài)特性，對于氮化鎵器件而言，動(dòng)態(tài)特性也需要測試
üIdss: 漏極漏電流
üVth: 閾值電壓
üRdson: 通態(tài)電阻
üBV: 擊穿電壓
üCrss, Coss, Ciss: 寄生電容
üQg: 門極電荷
ü其他項(xiàng)目
