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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長(zhǎng)（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價(jià)比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對(duì)于能源電力的需求越來(lái)越大。從而對(duì)電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng)IC舉例

氮化鎵驅(qū)動(dòng) 廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時(shí) ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)方案，供設(shè)計(jì)參考：

氮化鎵功率器件主要應(yīng)用方向

氮化鎵和超結(jié)MOS管Rdson隨溫度變化比較

氮化鎵和超結(jié)硅的Rdson高低溫比值相當(dāng)： GaN HEMT而言: Rdson 高低溫比值: Rdson(T=150C)/ Rdson(T=25C) =16...

氮化鎵功率器件安全工作區(qū)計(jì)算和測(cè)試

氮化鎵和硅功率器件有類似的安全工作區(qū)定義熱不穩(wěn)定區(qū)域是熱失效發(fā)生的區(qū)域，通常曲線的曲率越陡，在高電壓時(shí)...

氮化鎵最大功率計(jì)算

確定了結(jié)-殼熱阻后，可以用以下公式來(lái)結(jié)算氮化鎵功率器件的最大功率。同時(shí)依據(jù)改公式可以畫(huà)出功率vs.殼溫曲...

氮化鎵功率器件和LDMOS結(jié)構(gòu)比較

增強(qiáng)型（E-mode）和耗盡型（D-mode）氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和硅LDMOS的結(jié)構(gòu)非常相似，都是橫向器件。他們都需要使用場(chǎng)板...

氮化鎵功率器件電流崩塌效應(yīng)

氮化鎵功率器件特有的動(dòng)態(tài)電阻現(xiàn)象源于電流崩塌效應(yīng)。電流崩塌是當(dāng)漏極和門(mén)極/源極之間承受了大電壓應(yīng)力后，...

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