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氮化鎵功率器件和LDMOS結(jié)構(gòu)比較
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:580次

增強(qiáng)型（E-mode）和耗盡型（D-mode）氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和硅LDMOS的結(jié)構(gòu)非常相似，都是橫向器件。他們都需要使用場(chǎng)板來(lái)提升擊穿電壓。