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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長(zhǎng)（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價(jià)比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對(duì)于能源電力的需求越來越大。從而對(duì)電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng)IC舉例

氮化鎵驅(qū)動(dòng) 廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動(dòng)電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時(shí) ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)方案，供設(shè)計(jì)參考：

650V超結(jié)硅和氮化鎵的品質(zhì)因素比較

參考資料：梁曉軍：新型寬禁帶半導(dǎo)體器件的研究與探索

氮化鎵驅(qū)動(dòng)門極電阻的影響

對(duì)E-mode氮化鎵器件而言，門極電阻有非常重要的作用，特別是關(guān)斷損耗門極電阻限制門極放電電流，因而減緩了漏源...

硬開關(guān)中的DFN及TO220的氮化鎵器件

DFN封裝在開通過程中，電壓和電流的斜率明顯高于TO220封裝。因?yàn)镈FN封裝有開爾文腳，有更小的共源極電感和回路...

碳化硅光伏應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)

SiC對(duì)比Si材料優(yōu)勢(shì) I

3倍禁帶寬度：低漏電、高工作溫度 10倍擊穿場(chǎng)強(qiáng)：高擊穿電壓、低損耗、高開關(guān)速度 3倍熱導(dǎo)率：高功率密度、低散...

碳化硅用于儲(chǔ)能系統(tǒng)

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