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SiC對(duì)比Si材料優(yōu)勢(shì) I
Release date:2023-04-12 Writer: Category:Technical Article Views:680次
  • 3倍禁帶寬度:低漏電、高工作溫度
  • 10倍擊穿場(chǎng)強(qiáng):高擊穿電壓、低損耗、高開關(guān)速度
  • 3倍熱導(dǎo)率:高功率密度、低散熱要求