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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長（襯底材料）—>材料外延—>半導體器件設計/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運用GaN才能做到最優(yōu)性價比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對于能源電力的需求越來越大。從而對電源轉換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應用

商業(yè)化的增強型氮化鎵驅動IC舉例

氮化鎵驅動廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅動電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時 ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅動

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅動方案，供設計參考：

SiC對比Si材料優(yōu)勢 II

碳化硅是一種寬禁帶半導體，具備高熱導率，高擊穿場強和高電子報和漂移速率。其中寬禁帶和高熱導率的特性決定了...

碳化硅摻雜

硬開關中的DFN及TO220的氮化鎵器件

DFN封裝在開通過程中，電壓和電流的斜率明顯高于TO220封裝。因為DFN封裝有開爾文腳，有更小的共源極電感和回路...

碳化硅平面MOS簡化工藝流程

碳化硅MOS缺陷密度

近年來，碳化硅晶圓缺陷密度在不斷降低殺手級的缺陷已經(jīng)基本消除，然而普通級的缺陷仍然制約器件的性能發(fā)揮，尤...

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