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SiC對(duì)比Si材料優(yōu)勢 II
Release date:2023-04-12 Writer: Category:Technical Article Views:664次

碳化硅是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具備高熱導(dǎo)率，高擊穿場強(qiáng)和高電子報(bào)和漂移速率。其中寬禁帶和高熱導(dǎo)率的特性決定了器件能承受住更高的工作結(jié)溫。同時(shí)高擊穿場強(qiáng)和高電子飽和漂移速率帶來更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢組合起來，就是更低的損耗和更高的開關(guān)頻率，降低對(duì)系統(tǒng)散熱要求的同時(shí)，減小無源原件（電容，電感，變壓器）的體積和重量，進(jìn)而大幅縮小整體系統(tǒng)尺寸和重量。