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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對于能源電力的需求越來越大。從而對電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動IC舉例

氮化鎵驅(qū)動廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時 ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動方案，供設(shè)計參考：

氮化鎵通態(tài)電阻Rdson隨Vgs的變化

就650V E-mode氮化鎵器件而言，通態(tài)電阻Rdson隨著門極電壓增加而快速下降（從閾值電壓到2.5V左右）從2.5V到6V，通...

氮化鎵的高di/dt問題

某些封裝形式會帶來較大的源極漏電感共源極電感(CSI)是功率回路和驅(qū)動回路共有的電感高di/dt會在CSI上...

氮化鎵功率器件擊穿電壓隨溫度變化

硅器件雪崩擊穿是可恢復(fù)的，并隨著溫度的升高而略有增加；氮化鎵器件的擊穿一般是硬擊穿，一旦擊穿，器件就會壞掉...

如何測試氮化鎵功率器件Qg

氮化鎵器件雙脈沖測試的測試方法（1）

雙脈沖測試是用來測試功率器件的動態(tài)性能負(fù)載電感在第一個脈沖結(jié)束的時候建立需要測試的電流值，并在接下來...

氮化鎵器件雙脈沖測試的測試方法（2）

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