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氮化鎵的高di/dt問題
Release date:2023-04-12 Writer: Category:Technical Article Views:547次
  • 某些封裝形式會帶來較大的源極漏電感 
  • 共源極電感(CSI)是功率回路和驅(qū)動回路共有的電感 
  • 高di/dt會在CSI上感應(yīng)出正向或者負向的電壓 
  • 在器件開通過程中，這個感應(yīng)出來的電壓部分抵消了門極驅(qū)動電壓，使得開通時間延長 
  • 在器件關(guān)斷過程中，這個感應(yīng)出來的電壓又和門極電壓反向，導致關(guān)斷時間拖延，降低效率，并導致振鈴和誤開通 
  • 這種負反饋機制帶來較長的電壓-電流交疊時間，增加開關(guān)損耗 
  • 氮化鎵器件通常需要一個開爾文腳來分離功率回路和驅(qū)動回路