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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長(zhǎng)（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價(jià)比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對(duì)于能源電力的需求越來(lái)越大。從而對(duì)電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng)IC舉例

氮化鎵驅(qū)動(dòng) 廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動(dòng)電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時(shí) ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)方案，供設(shè)計(jì)參考：

氮化鎵單片集成ESD保護(hù)電路舉例

氮化鎵器件雙脈沖測(cè)試舉例

高電流工作情況下，芯片金屬線周圍塑封料會(huì)分解嗎？

功率器件如何標(biāo)稱連續(xù)電流

功率器件的標(biāo)稱連續(xù)電流通常使用上述公式來(lái)計(jì)算。然而計(jì)算所得的 Ids 僅為電流的上限。通常半導(dǎo)體器件提供...

氮化鎵DFN封裝散熱

和硅MOS管一樣，DFN封裝的氮化鎵器件通過(guò)底部散熱盤散熱。氮化鎵器件的散熱盤通常和器件的硅襯底（以及源極）接觸...

硅超結(jié) MOS Cds 非線性問(wèn)題研究

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